德国铁电记忆公司（FMC）宣布，它已经与半导体公司Neumonda进行了战略合作，以在德国德累斯顿建立新的非挥发记忆芯片（FERAM）生产线。这标志着欧洲半导体制造的重要里程碑。
这是欧洲在2009年Infineon和Qimonda在德国的破产和封闭案件之后重新启动本地记忆芯片的第一次尝试。该计划代表了重建欧洲半导体独立性的重要一步。
这项合作的核心是FMC的“DRAM+”技术。该技术将与亚10nm过程兼容的氧化物（HFO₂）作为铁电层兼容，以替换传统的铅锆酸钛酸钛酸PZT PZT材料，并且在不保持电力损失的情况下，存储容量从传统FERAM的4-8MB增加到GB-GB水平，同时保持无数据损失的特征。
Feram与SDRAM相似，是一种随机访问记忆技术。它使用一层铁电材料来代替原始的介电物质，因此它也具有非挥发性内存的功能，将常规RAM的速度与存储技术的持久性相结合。
FMC首席执行官Thomas Rueckes解释说：“氧化hafnium氧化物的铁电作用将DRAM电容转化为一个非挥发性记忆细胞，在维持高性能的同时，可以实现低功耗，使其非常适合对AI计算的持续记忆需求。”
两家公司将依靠Neumonda的三个测试系统，即Rhinoe，章鱼和猛禽，要建立从研发到大规模生产的完整链，以确保整个制造过程中的质量和效率。
Neumonda首席执行官Peter Poechmueller说：“我们的最终目标是重建德国的记忆芯片行业，这种伙伴关系是至关重要的一步。”在芯片供应链已成为全球战略重要性的时候，这种合作可能会振兴欧洲半导体制造。
