最近，三星在日本举行了2018年三星铸造工厂论坛（SFF）会议，并更新了技术路线图。
简而言之，有三个要点要讨论。首先，基于EUV技术的7NM工艺技术将在接下来的几个季度中批量生产（初始EUV仅用于选择层），第二个是引入8nm LPU过程，第三个是重申。在3NM节点附近，将引入全面的FET（GAAFET）以替换FinFET（FIN FIEL效应晶体管）。
关于第一点，三星表示，它已在韩国Hwaseong的S3工厂部署了几个ASML Twinscan NXE：3400B EUV光刻机器。新的EUV生产线预计将在2019年完成6万亿韩元的投资，并在2020年扩大生产。
目前，官方的7英寸LPP流程是高通Snapdragon 5G Soc。
关于第二点，8LPU（低功率终极）是8LPP的修改版本，该版本可将芯片面积和10％的功率消耗降低10％，而10％的功耗则为10％。 LPU似乎会进一步对功耗和面积的大惊小怪……
由于三星的7LPP补充能力需要等到2020年，这是8LPU在市场上产生重大影响的机会。根据ZDNET的说法，高通也是三星的8LPU客户。
至于第三点，三星将使用FinFET技术对5LPE和4LPP的限制，并计划在2019年冒险进行试验生产。但是，在3NM时代，芯片越来越小，越来越小，当前的频道宽度正在狭窄，并且较窄很难控制当前方向。三星提出了一种GAAFET解决方案，该解决方案计划于2020年初进行试用。
此外，三星还表示，2019年，单芯片包装技术3D SIP将准备就绪。
